融合式存储器Fusion Memory-Samsung
三星半导体可谓是打造三星的一等功臣，三星电子的半导体发展史是企业的冒险挑战精神、董事会的决策、快速的掌握技术能力以及把握市场动向的敏锐洞察力融汇于一体的结果。
三星集团创始人李秉哲不顾公司众人反对，毅然决然地于1983年在日本东京正式开始进军半导体行业。对此他曾经表示，三星符合韩国缺乏资源的自然条件，只有开发高附加值、技术含量高的产品才能实现企业的第二次飞跃。
在此后的10个月内，三星电子在世界上第三个推出64K DRAM，这在国内外经济界引起强烈反响。然而，日后由于半导体价格暴跌，企业在事业之初陷入困境。尽管如此，三星的存储器半导体依然取得了长足的发展，1992年率先开发成功64M DRAM，终于在世界上确保了最强的技术实力；1993年如愿以偿地荣登存储器半导体世界第一的宝座。此后于1994年和1996年连续开发成功256M和1G DRAM，这同样拥有‘世界最先开发’的荣耀，这样，半导体逐渐成为韩国具有代表性的产业。2002年NAND Flash位居世界榜首；2006年与2007年分别在世界上率先研制成功50纳米级DRAM和30纳米级NAND等，三星电子在存储器领域的占有率超过30%，成为业界的强者。
三星电子在2010年度依然保持着领先于世界的记录，诸如最先进行30纳米级DRAM的批量生产、从7月份开始批量生产30纳米级4Gb DDR3(Double Data Rate 3) DRAM。30纳米只相当于发丝1/4的厚度，30纳米级DRAM与现有40纳米级DRAM相比，可提高60%的生产效率；成本竞争力相当于50~60纳米级DRAM的2倍以上；此外，耗电量与50纳米级DRAM相比最多可减少65%以上。
据市场调查机构Gartner相关资料显示，DRAM发展势头良好，在2010年第二季度DRAM排名中，三星电子始终保持先导地位。Gartner在报告中称，三星电子的市场占有率超过35%，这更加巩固了其在市场上的地位。（Samsung extends lead in DRAM rankings，美 EE Times，8/9)
三星电子2010年度半导体投资规模达11兆韩元，特别是将存储器半导体设施投资由当初计划的5兆5000亿韩元增加至9兆韩元。从中可以看出，三星电子在2010年将继续确保其在上述领域世界最大供给商的地位。（Can Samsung Overtake Intel?，美 WSJ，5/18)
另一方面，市场调查机构IC Insights预计，三星电子于2014年有望超越英特尔，跃升为半导体行业榜首。1999~2009年，三星电子的年均增长率（CAGR）为13.5%，而英特尔为3.4%，以此为依据，预计2014年三星电子的销售额将超过英特尔。（Samsung to overtake Intel as No.1 chip company in 2014，美 ElectronicsWeekly，美 EE Times，8/26 & 中 Sina，8/27)
另外一个值得关注的是铸造（foundry）领域，三星电子在该领域尚未扬名，2010年是三星电子进军铸造领域第五个年头，（"We Wouldn't Launch a New Business Unless We Knew We Could Win"---Jeong-ki (Jay) Min，Samsung，日 NE Asia，8月）